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CSD18542KTTT是MOSFET 60V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括CSD18542KTT系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于to-263-3以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为200 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为2ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为44nC，正向跨导最小值为198S，沟道模式为增强。
CSD18563Q5A是MOSFET N-CH 60V 100A 8SON，包括2 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有典型的开启延迟时间特性，如3.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为11.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD18563Q5A系列，上升时间为6.3ns，漏极源极电阻Rds为5.7mOhms，Qg栅极电荷为15nC，Pd功耗为3.2W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为91 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为1.7 ns，配置为单一。
CSD18542KTT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET 3-DDPAK/TO-263-55至175，包括卷筒包装，它们设计为与CSD18542KTT系列一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术。
