增强型场效应晶体管（FET）采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 18 A，200 VrDS（ON）=180 mΩ@VGS=5 V
- 低栅极电荷（典型值40 nC）
- 低铬（典型值95 pF）
- 快速切换速度
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 逻辑电平门驱动
应用
- 其他音频和视频
IRL640A
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.87835 | 11.87835 |
| 10+ | 10.62533 | 106.25334 |
| 100+ | 8.28442 | 828.44290 |
| 500+ | 6.84367 | 3421.83550 |
| 1000+ | 5.73043 | 5730.43800 |
- 库存: 0
- 单价: ¥11.87836
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.88
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 最大功耗 110W（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1705 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@9A，5V
- 色彩/颜色 -
IRL640A 产品详情
增强型N沟道MOSFET，Fairchild半导体
IRL640A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRL 81A-RS | 欧思朗 (OSRAM) | HIGH POWER INFRARED EMITTER 850N | ¥61.65157 |
 | IRL3803PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.94839 |
 | IRLB8721PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | IRLML6401 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,4.3A | ¥0.38966 |
 | IRLML6402 | 合科泰 (Hottech) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3.7A | ¥0.47369 |
| IRLML6244TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML0030TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41637 |
| IRLML6246TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.48143 |
| IRLML2803TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4118 |
| IRLML0100TR(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.68776 |
IRL640A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRL640A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRL640A价格参考￥11.878356，你可以下载 IRL640A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRL640A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
