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CSD13383F4T是MOSFET 12V N沟道FemtoFET MOSFET，包括CSD13383F4系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Femto FET等商标功能，封装盒设计用于SMD-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为315 ns，上升时间为123 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为2.9 a，Vds漏极-源极击穿电压为12V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为44mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为39ns，Qg栅极电荷为2nC，正向跨导最小值为5.4S，沟道模式为增强。
CSD15380F3T是MOSFET 20-V N-Ch FemtoFET，包括850 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于10 V Vgs栅极源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为FemtoFET，器件在1 ns上升时间内提供，器件具有4欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为0.216 nC，Pd功耗为500 mW，封装为卷轴式，封装盒为LGA-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为500 mA，正向跨导最小值为0.64 S，下降时间为7 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强。
CSD15380F3带有TI制造的电路图，是IC芯片的一部分，N沟道20V 500mA（Ta）500mW（Ta）表面贴装3-PICOSTAR，Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3引脚PICOSTART/R。
