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RV3C002UNT2CL

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: VML0604 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.65814 26.58144
100+ 1.81000 181.00010
500+ 1.35760 678.80450
1000+ 1.01820 1018.20700
2000+ 0.93339 1866.78600
8000+ 0.87682 7014.60000
16000+ 0.82025 13124.12800
24000+ 0.77136 18512.85600
  • 库存: 8000
  • 单价: ¥3.25931
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 包装/外壳 3-XFDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@100A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 150毫安(Ta)
  • 最大功耗 100mW(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆,150毫安,4.5伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 12 pF@10 V
  • 供应商设备包装 VML0604
  • 色彩/颜色 White

RV3C002UNT2CL 产品详情

ROHM低功率MOSFET具有较小的VML100封装尺寸和极低的尺寸公差。这使得这些MOSFET成为智能手机和其他便携式设备等高密度应用的理想选择。功能超紧凑VML1006封装尺寸高可靠性内置ESD保护二极管应用便携式设备可穿戴设备音频和视频设备数据线

特色

  • 超小型包装(0.6x0.4x0.36mm)
  • 低电压驱动使该设备成为便携式设备的理想选择。
  • 驱动电路可能很简单。
  • 内置ESD保护二极管。


RV3C002UNT2CL所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RV3C002UNT2CL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RV3C002UNT2CL价格参考¥3.259305,你可以下载 RV3C002UNT2CL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RV3C002UNT2CL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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