9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2319DDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2319DDS-T1-GE3参考价格为0.52000美元。Vishay Siliconix SI2319DDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23。您可以下载SI2319DDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2319CDS-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2319CDS GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为595pF@20V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为4.4A（Tc），最大Id Vgs的Rds为77mOhm@3.1A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@10V，Pd功耗为2.5W，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Id连续漏极电流为-4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds漏极源极电阻为64 mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为13.6 nC，正向跨导最小值为10 S。
Si2319CDS，带有VISHAY制造的用户指南。Si2319CDS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2319CDS-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI2319CDS-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
Si2319CDS-T1-GE3/P7，具有30000VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si2319CDS-T1-GE3/P7采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
