特色
- RDS（开启）=98 mΩ，VGS=4.5 V，ID=1.6 A
- RDS（开启）=82 mΩ，VGS=10 V，ID=1.7 A
- VGS=10 V时，典型Qg（TOT）=9.2 nC
- 低米勒电荷
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- DC/DC转换器
- 电机驱动器
FDN5632N-F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 10+ | 4.46162 | 44.61626 |
| 100+ | 3.42082 | 342.08220 |
| 500+ | 2.70406 | 1352.03200 |
| 1000+ | 2.16323 | 2163.23700 |
| 3000+ | 2.15092 | 6452.77200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥5.07003
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A（Ta）
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 最大功耗 1.1W（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 82毫欧姆 @ 1.7A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 475 pF @ 15 V
- 色彩/颜色 -
FDN5632N-F085 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET，逻辑电平，60V，1.6A，98mΩ
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FDN5632N-F085所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN5632N-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN5632N-F085价格参考￥5.070030，你可以下载 FDN5632N-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN5632N-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
