9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD19534Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD19534Q5AT价格参考1.68000美元。德州仪器CSD19534Q5AT封装/规格：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON。您可以下载CSD19534Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD19534KCS是MOSFET 100V N沟道NexFET Pwr MOSFET，包括CSD19534KCS系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为118 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1 ns，上升时间为2 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为54A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为16.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为16.4nC。
CSD19534Q5A是MOSFET N-CH 100V 137A 8SON，包括2.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD19534Q5A系列，上升时间为14ns，Rds漏极源极电阻为17.6mOhms，Qg栅极电荷为17nC，Pd功耗为63W，封装为卷轴式，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19533Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19533Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、7.8mOhm SON5x6 N-CH NexFET”。
