9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3473CDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3473CDV-T1-GE3参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP。您可以下载SI3473CDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si3473CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si3473CDV-GE3的零件别名，该SI3473CDVD-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为2010pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为22mOhm@8.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为65nC@8V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为40 ns 35 ns，上升时间为55 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为22 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60 ns 62 ns，典型开启延迟时间为20ns 10ns，信道模式为增强。
SI3473CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns 10 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns 62 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为55 ns 15 ns，器件的漏极-源极电阻为22 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3473CDV-E3，封装为卷轴式，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为40 ns 35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3471DV-T1-E3是MOSFET 12V 6.8A 1.1W，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了50 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如5.1 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TSOP-6封装盒提供，该器件具有一卷封装，部件别名为SI3471DV-T1，Pd功耗为1.1W，Rds漏极源极电阻为31mOhm，上升时间为50ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为125ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.000705oz，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极电压为8V。
SI3471DV-T1-GE3是MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm@4.5V，包括TSOP-6封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表说明所示，用于单体，提供部件别名功能，如SI3471DV GE3，技术设计用于Si，以及卷筒包装，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，Vgs栅极-源极电压为8 V，器件提供5.1 A Id连续漏极电流，器件具有31 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.1 W，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.000705 oz，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为-12V。
