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BSC060N10NS3 G是MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的BSC060N10 NS3GATSP000446584，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强。
BSC059N04LSGATMA1是MOSFET N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于BSC059N04，以及BSC059N04LS BSC059N05LSGXT G SP000391499部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装盒为TDSON-8，该设备提供1信道数信道，该设备具有安装型SMD/SMT。
BSC060N10NS3G，带有INFINEO制造的电路图。BSC060N10NS3G在TDSON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
