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BSC026N08NS5ATMA1是MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8，包括卷筒包装，它们设计用于与BSC026NO8NS5 SP001154276零件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于TDSON-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有156 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为74nC，正向跨导最小值为60S，沟道模式为增强。
带有用户指南的BSC026NE2LS5ATMA1，包括1.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于+/-16 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为3 ns，器件提供的漏极-源极电阻为4 mOhms Rds，器件具有12 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为29 W，零件别名为BSC026NE2LS5 SP001212432，包装为卷筒，封装盒为TDSON-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为82 A，正向跨导最小值为55 S，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的BSC026N04LSATMA1，包括TDSON-8封装盒，它们设计用于卷筒封装，数据表注释中显示了零件别名，用于提供Si等技术特性的BSC026N04LS SP001067014，商品名设计用于OptiMOS。
采用INFINEO制造的EDA/CAD模型的BSC026N08NS5。BSC026N08NS5在TDSON-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
