9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISA72DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISA72DN-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SISA72DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8。您可以下载SISA72DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SISA72DN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIS990DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供ThunderFET TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为25W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为250pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12.1A，最大Id Vgs上的Rds为85mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为12.1A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第th栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为86mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8s，典型导通延迟时间为8 ns，Qg栅极电荷为5.2nC，正向跨导Min为11S。
SIS965L B1，带有SIS制造的用户指南。SIS965L B1采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
SIS968，带有SIS制造的电路图。SIS968采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
SIS968 BOAA，带有SIS制造的EDA/CAD模型。SIS968 BOAA采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
