9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3433CDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3433CDV-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI3433CDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP。您可以下载SI3433CDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3433CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3433CDV-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为22纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为38mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为20ns，沟道模式为增强型。
SI3433BDV-T1-GE3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP。SI3433BDV-T1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP、P沟道20V 4.3A（Ta）1.1W（Ta）表面安装6-TSOP。
SI3433CDV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3433CDV-T1采用1321 ROHS封装，是FET的一部分-单个。
