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BSC900N20NS3 G是MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3，包括卷盘封装，它们设计为与BSC900N2ONS3GATMA1 BSC900N2N S3GXT SP000781780部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TDSON-8，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为62.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Rds漏极源极电阻为77 mOhms，晶体管极性为N沟道，并且正向跨导Min为16S 8S。
BSC889N03MSG，带有INFINEON制造的用户指南。BSC889N03MSG采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
BSC889N03MSGATMA1，带有Infineon制造的电路图。BSC889N03MSGATMA1采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8、N沟道30V 12A（Ta）44A（Tc）2.5W（Ta）、28W（Tc）表面安装PG-TDSON-8、Trans MOSFET N-CH30V 12B 8引脚TDSON EP T/R。
BSC89N03MSG，带有INFIN制造的EDA/CAD模型。BSC89N03MSG采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
