Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRFS3306TRLPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 29.71906 | 29.71906 |
- 库存: 10
- 单价: ¥29.71907
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.72
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 D2PAK
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 120 nC@10 V
- 最大功耗 230W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.2毫欧姆 @ 75A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 150A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4520 pF @ 50 V
- 色彩/颜色 黑色
IRFS3306TRLPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V,英飞凌
IRFS3306TRLPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS3306TRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS3306TRLPBF价格参考¥29.719067,你可以下载 IRFS3306TRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS3306TRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。