9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP22D4UFA-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP22D4UFA-7B参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated DMP22D4UFA-7B封装/规格：MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN0806H4。您可以下载DMP22D4UFA-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2240UW-7是MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3，包括DMP22系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为250mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为320pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为150 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.3 ns，上升时间为10.3纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为46.5ns，典型接通延迟时间为12.5ns，沟道模式为增强。
DMP2240UDM-7是MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在12 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如11.51 ns，典型的关闭延迟时间设计为55.34 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在SOT-26供应商器件封装中提供，该器件具有DMP2240系列，上升时间为12.09 ns，Rds On Max Id Vgs为150 mOhm@2A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为150 m欧姆，功率最大为600mW，Pd功耗为600 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-23-6，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-65°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为320pF@16V，Id连续漏电流为2A，FET类型为2 P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为12.09 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2A，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMP2240UWQ-7带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了用于22.2ns的下降时间，提供了最小正向跨导特性，如3.1S，Id连续漏极电流设计为工作在-1.5A，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1信道数信道，该器件具有SOT-323-3封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为250 mW，漏极电阻为134 mOhm，上升时间为10.3 ns，系列为DMP22，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为46.5ns，典型导通延迟时间为12.5ns，单位重量为0.000212oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为-1V。
