9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8466EDB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8466EDB-T2-E1参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1封装/规格：MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT。您可以下载SI8466EDB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI8463BB-B-IS1是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括SI8463BB系列，它们设计用于数字隔离器产品，类型如数据表注释所示，用于通用用途，提供管交替包装等包装功能，单位重量设计为0.006637盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）包装箱。此外，该技术为电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C，器件有6个通道，电压供应为2.7V~5.5V，供应商器件封装为16-SOIC，数据速率为150Mbps，通道类型为单向，电压隔离为2500Vrms，升降时间类型为3.8ns、2.8ns，隔离功率为否，输入侧1侧2为2016/3/3 0:00:00，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，脉宽失真最大值为2.5ns，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，极性为单向，隔离类型为电容耦合，工作电源电流为6mA，隔离电压为2.5kVrms，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为2.7V，传播延迟时间为6ns。
SI8463BB-B-IS1R是DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC，包括2.7 V~5.5 V电压源，它们设计用于2500Vrms电压隔离，单位重量如数据表注释所示，用于0.006637 oz，具有通用型、技术设计用于电容耦合以及2.7 V最小电源电压，该器件也可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为16-SOIC，该器件为Si8463BB系列，该器件具有3.8ns、2.8ns的上升-下降时间类型，脉冲宽度失真最大值为2.5ns，传播延迟tpLH tpHL最大值为9.5ns、9.5ns，产品为数字隔离器，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-40°C~125°C，通道数为6，隔离类型为电容耦合，隔离功率为否，输入侧1侧2为2016/3/3 0:00:00，数据速率为150Mbps，共模瞬态抗扰度最小值为25kV/μs（Typ），通道类型为单向。
SI8465DB-T2-E1是MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm@4.5V，包括单一配置，它们设计为在10 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于7S的正向跨导最小值，其提供Id连续漏极电流功能，如-3.8 a，其最大工作温度范围为+85 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用MicroFoot-4封装盒，该器件具有一个封装卷轴，Pd功耗为1.8W，Qg栅极电荷为6nC，漏极源极电阻Rds为122mOhm，上升时间为20ns，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为20ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为12V。
