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IRFS3004TRL7PP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 41.35695 41.35695
10+ 37.11986 371.19863
100+ 30.41076 3041.07640
800+ 25.99187 20793.49680
  • 库存: 0
  • 单价: ¥35.92478
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.36
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 240 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 240A(Tc)
  • 最大功耗 380W (Tc)
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6引线+接线片),TO-263CB
  • 供应商设备包装 D2PAK (7-Lead)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.25毫欧姆@195A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9130 pF@25 V
  • 色彩/颜色

IRFS3004TRL7PP 产品详情

N沟道功率MOSFET 40V,英飞凌

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

IRFS3004TRL7PP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS3004TRL7PP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS3004TRL7PP价格参考¥35.924784,你可以下载 IRFS3004TRL7PP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS3004TRL7PP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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