9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1480DH-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1480DH-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6。您可以下载SI1480DH-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1473DH-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6，包括卷盘封装，它们设计用于SI1473DH-E3零件别名，单位重量如数据表注释所示，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-363-6以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns 6 ns，上升时间为60 ns 10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-电源电阻为100mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25ns 15ns，典型接通延迟时间为24ns 4ns，沟道模式为增强型。
SI1473DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括-1 V至-3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.000265盎司，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为100 mOhm，器件提供4.1 nC Qg栅极电荷，器件具有1.5 W的Pd功耗，部件别名为SI1473DH-GE3，封装为卷轴式，封装盒为SOT-363-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为2.8 A，正向跨导最小值为6 S，配置为单一。
SI1471DH-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6，包括单一配置，它们设计为在2.8 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作SOT-363-6包装箱。此外，包装为Reel，器件提供1.5 W Pd功耗，器件具有175 mOhms的Rds漏极-源极电阻，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P通道，晶体管类型为1 P通道，单位重量为0.000265盎司，Vds漏极源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极电压为12V。
