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DMP3028LFDE-13

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type E) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.37936 1.37936
10+ 1.13912 11.39120
30+ 1.03612 31.08378
100+ 0.90759 90.75930
500+ 0.85031 425.15800
1000+ 0.81605 816.05800
  • 库存: 13025
  • 单价: ¥1.37937
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.38
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 导通电阻 Rds(ON) 32毫欧姆 @ 7A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.8A (Ta)
  • 最大功耗 660mW (Ta)
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type E)
  • 包装/外壳 6-PowerUDFN
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1241 pF@15 V
  • 色彩/颜色 -

DMP3028LFDE-13 产品详情

这一新一代30V P沟道增强型MOSFET的设计旨在最小化RDS(开启),同时保持优异的开关性能。该设备非常适合便携式、电池包装和其他电源管理功能。

DMP3028LFDE-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMP3028LFDE-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP3028LFDE-13价格参考¥1.379367,你可以下载 DMP3028LFDE-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP3028LFDE-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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