9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3407DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3407DV-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI3407DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP。您可以下载SI3407DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3403DV-T1-E3是MOSFET 20V 5.0A 3.2W，包括卷轴封装，它们设计用于SI3403DV E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns 11 ns，上升时间为24 ns 55 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为70m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns 15ns，典型接通延迟时间为4ns 20ns，沟道模式为增强型。
Si3407DV-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作24毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2 W，该器件以SI3407DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.5 a，配置为单一。
SI3403DV-T1-GE3是MOSFET 20V 5.0A 3.2W 70mohm@4.5V，包括单一配置，它们设计为在4 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作TSOP-6封装盒。此外，包装为Reel，该器件以SI3403DV-GE3零件别名提供，该器件具有2 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为70 mOhms，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000705 oz，Vds漏极源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极电压为12V。
SI3407DV-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP。SI3407DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP、P沟道20V 8A（Tc）2W（Ta）、4.2W（Tc）表面安装6-TSOP。
