9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18534Q5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18534Q5AT参考价格$1.71000。德州仪器CSD18534Q5AT封装/规格：MOSFET N沟道60V 50A 8VSON。您可以下载CSD18534Q5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18534KCS是MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MOSFET，包括CSD18534KCS系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为98 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.4 N，上升时间为4.8 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为71A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-电源电阻为13.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.4ns，典型导通延迟时间为4.2ns，Qg栅极电荷为19nC，并且正向跨导Min为100S。
CSD18533Q5AT是MOSFET 60V N沟道NexFET功率MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000847 oz，典型开启延迟时间设计为5.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD18533Q5A，上升时间为5.5 ns，漏极-源极电阻Rds为8.5 mOhm，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为116 W，封装为卷轴，封装盒为VSON-8，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为103 A，下降时间为2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD18534Q5A带有TI制造的电路图。CSD18534Q 5A采用VSONP8封装，是IC芯片、Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 60V N-CH NexFET Pwr MOSFET的一部分。
