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BSC057N08NS3 G是MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSC057NO8NS3GATMA1 BSC057NO 8NS3GXT SP000447542的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为14 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型导通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为56nC，并且前向跨导Min为80S 40S，并且信道模式为增强。
BSC057N08NS，带有INFINEON制造的用户指南。BSC057N08NS采用QFN-8封装，是FET的一部分-单个。
BSC057N08NS3G，电路图由FEELING制造。BSC057N08NS3G采用DFN-85X6封装，是FET的一部分-单个。
