9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB7N52K3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB7N52K3价格参考1.63000美元。STMicroelectronics STB7N52K3封装/规格：MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK。您可以下载STB7N52K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB76NF80是MOSFET N-Ch 80 V.0095 ohm 80 A STripFET II，包括STB76NF-80系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为117nC。
STB7ANM60N是MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有串联的N沟道MDmesh，上升时间为10ns，Rds漏极-源极电阻为900m欧姆，Qg栅极电荷为14nC，Pd功耗为45W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为12ns，配置为单一。
STB76NF75是MOSFET功率MOSFET N-CH 75V，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如80 a，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为300 W，Rds漏极-源极电阻为11 mOhms，上升时间为100 ns，系列为N信道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
STB772-Y，带有WST制造的EDA/CAD模型。STB772-Y采用SOP-28封装，是IC芯片的一部分。
