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BS870-7-F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.75230 2.75230
10+ 2.25254 22.52542
100+ 1.19435 119.43540
500+ 0.78571 392.85500
1000+ 0.53430 534.30900
3000+ 0.48194 1445.82900
6000+ 0.41907 2514.44400
  • 库存: 463
  • 单价: ¥2.75230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.75
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 最大功耗 300mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 250毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 200毫安, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 -

BS870-7-F 产品详情

特色


•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
•无卤素和锑。“绿色”设备(注释3和4)
•符合AEC-Q101高可靠性标准

BS870-7-F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BS870-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS870-7-F价格参考¥2.752302,你可以下载 BS870-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS870-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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