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CSD17559Q5是MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET，包括CSD17559Q 5系列，它们设计为与卷筒包装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，包装盒设计为在VSON-Clip-8以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.2W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为41 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通-漏极-漏极电阻为1.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为39nC，正向跨导Min为235S。
CSD17570Q5B是MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD17570Q5B，该器件提供920欧姆Rds漏极-源极电阻，该器件具有93 nC Qg栅极电荷，封装为卷轴式，封装外壳为VSON-Clip-8，通道数为1通道，Id连续漏极电流为53 a，配置为单通道。
CSD17570Q5BT是MOSFET 30V N-Ch Pwr MOSFET，包括单一配置，它们设计为以53 a Id连续漏极电流运行。数据表注释中显示了用于1通道的通道数，该通道提供封装盒功能，如VSON-Clip-8，封装设计为在卷轴中工作，以及93 nC Qg栅极电荷，该器件也可以用作920欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该系列为CSD17570Q5B，该器件采用Si技术，该器件具有商品名NexFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs栅源极电压为20 V，Vgsth栅源极阈值电压为1.5 V。
