UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量,并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS(开启)、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。
特色
- VGS=10V,ID=3.0A时,最大rDS(开)=117mΩ
- VGS=6V,ID=2.8A时,最大rDS(开)=126mΩ
- 快速切换速度
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
- DC-DC转换