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FDP045N10A_F102带有引脚细节,包括卡套管封装,设计用于0.063493 oz单位重量,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可作为单配置使用。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供263 W Pd功耗,该器件具有15 ns的下降时间,上升时间为26 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为120 a,Vds漏极-源极击穿电压为100 V,Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V,Rds漏极源极电阻为3.8 mOhm,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为57nC,正向跨导Min为132S。
FDP045N10A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3。FDP045N10A在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3,N沟道100V 120V(Tc)263W(Tc)通孔TO-220-3。
FDP047AN08,带有FAIRCHILD制造的电路图。FDP047AN08在TO-220F封装中提供,是FET的一部分-单个。