9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3477DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3477DV-T1-GE3参考价格为0.78000美元。Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP。您可以下载SI3477DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3476DV-T1-GE3带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计用于0.000705盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供ThunderFET TrenchFET等商标功能，包装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.6W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为105mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为4.9nC，正向跨导Min为7S。
SI3475DV-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP。SI3475DV-T1-GE3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP、P沟道200V 950mA（Tc）2W（Ta）、3.2W（Tc）表面安装6-TSOP，Trans MOSFET P-CH200V 0.75A 6-Pin TSOP T/R。
SI3477，带有SI制造的电路图。SI3477以SOT23-6封装形式提供，是FET的一部分-单个。
