9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDBL86210-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDBL86210-F085参考价格为5.38000美元。onsemi FDBL86210-F085封装/规格：MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF。您可以下载FDBL86210-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDBL0260N100带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.029986oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如MO-299A-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供250 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为200 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为83nC，正向跨导最小值为170S，沟道模式为增强。
FDBL0630N150，带有用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供单位重量功能，如0.029985 oz，典型开启延迟时间设计为39 ns，以及70 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为5 mOhms，Qg栅极电荷为70 nC，Pd功耗为500 W，封装为卷轴式，封装盒为MO-299A-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为169 A，下降时间为23 ns，配置为单多晶硅源，通道模式为增强型。
FDBL0330N80带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为单配置运行，数据表注释中显示了17 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如220 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用MO-299A-8封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为300W，Qg栅极电荷为86nC，Rds漏极-源极电阻为6.1mOhm，上升时间为34ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.029986oz，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V。
