SI3421DV-T1-GE3零件是由VISHAY SILICONIX制造的P-Ch MOSFET TSOP-6铜30V 19.2ohm@，可在9icnet Electronics网站上购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的SI3421DV-T1-GE3组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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SI3410DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP，包括卷筒包装。
它们设计用于SI3410DV-GE3零件别名。单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能。封装盒设计用于TSOP-6和Si技术。
该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该设备为1 N沟道晶体管类型，该设备具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9 ns。上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。Vgs第h栅极-源阈值电压为3 V。漏极-漏极电阻为19.5 mOhms。晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为21.8nC。
SI3410DV，带有VISHAY制造的用户指南。SI3410DV在TSOP6封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI3410DV-T1-E3是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP。SI3410DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP、N沟道30V 8A（Tc）2W（Ta）、4.1W（Tc）表面安装6-TSOP和Trans MOSFET N-CH30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R。
