9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5471DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5471DC-T1-GE3参考价格为0.78000美元。Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8。您可以下载SI5471DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5468DC-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8，包括卷盘封装，它们设计用于SI5468DC GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于ChipFET-8，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单十六进制漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12 ns 10 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为28mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns 15ns，典型导通延迟时间为15ns 5ns，Qg栅极电荷为8nC，并且信道模式是增强。
SI5468DC-T1-E3，带有VSHAY制造的用户指南。SI5468DC-T1-E3采用1206-8封装，是IC芯片的一部分。
SI5471DC，电路图由Vishay制造。SI5471DC提供1206-8封装，是FET的一部分-单。
