9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1403BDL-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1403BDL-T1-GE3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6。您可以下载SI1403BDL-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1403BDL-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6，包括卷轴封装，它们设计用于SI1403DLL-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000265盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-363-6封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为568mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为30纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-电源电阻为150m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
Si1402DH-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363。Si1402DH-T1-GE3以6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363、N沟道30V 2.7V（Ta）950mW（Ta）表面安装SC-70-6（SOT-363）。
SI1403BDL，带有VISHAY制造的电路图。SI1403BDL采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
