BSC082N10LSGATMA1

规格参数

• 长（英寸） -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 部件状态 不适用于新设计
• 包装/外壳 8-PowerTDFN
• 最大功耗 156W（Tc）
• 供应商设备包装 PG-TDSON-8-1
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 104 nC@10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 13.8A（Ta）、100A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 8.2毫欧姆 @ 100A, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@110A.
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7400 pF @ 50 V
• 色彩/颜色 -