久芯网

MMBF170

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 300mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 时科 (SHIKUES)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.18469 0.18469
100+ 0.11733 11.73350
  • 库存: 688
  • 单价: ¥0.18469
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.18
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 时科 (SHIKUES)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 最大功耗 300mW (Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 40 pF @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 200毫安, 10V

MMBF170 产品详情

增强型N沟道MOSFET,Fairchild半导体

增强型场效应晶体管(FET)采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺的设计目的是最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。

特色

  • 低RDS(ON)的高密度电池设计
  • 电压控制小信号开关
  • 坚固可靠
  • 高饱和电流能力

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
MMBF170所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MMBF170 由 时科 (SHIKUES) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMBF170价格参考¥0.184694,你可以下载 MMBF170中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMBF170规格参数、现货库存、封装信息等信息!

时科 (SHIKUES)

时科 (SHIKUES)

时科,源自台湾,全球知名的半导体分立元器件厂商之一,主要提供工程师与设计人员各种半导体产品与软件,为汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用等产品带来更优质的感知体验。 自...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部