9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1330EDL-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1330EDL-T1-E3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3。您可以下载SI1330EDL-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1315DL-T1-GE3是MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3，包括卷筒包装，它们设计用于SI1305DL-T1/GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004395盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-323-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有400 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-900 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-8V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-0.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为1.7nC，正向跨导最小值为3S。
SI13-0D，带有BESTA制造的用户指南。SI13-0D采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
SI13132CNU，电路图由SILICON制造。SI13132CNU在MQFN88封装中提供，是IC芯片的一部分。
