9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2318DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2318DS-T1-GE3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI2318DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3。您可以下载SI2318DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2318DS-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2318DS-M1的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为540pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为45 mOhm@3.9A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为750 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds导通漏极-漏极电阻为45毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20纳秒，并且典型的开启延迟时间是5ns，并且信道模式是增强。
带有89K制造的用户指南的SI2318DS。SI2318DS采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
Si2318DS-T1-E3/C8，电路图由30000VISHAY制造。Si2318DS-T1-E3/C8采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
