9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2338DS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2338DS-T1-GE3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI2338DS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6A SOT23。您可以下载SI2338DS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI2337DS-T1-GE3是MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI2337DS GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为500pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为2.2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为270 mOhm@1.2A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，Pd功耗为760 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为15 ns 12 ns，上升时间为15 ns18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-80 V，Rds漏极源极电阻为270 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是20ns，并且典型接通延迟时间是10ns 15ns，并且沟道模式是增强。
SI2337DS-T1-E3是MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-80 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），系列为TrenchFETR，上升时间为15 ns，Rds On Max Id Vgs为270 mOhm@1.2A，10V，Rds On Drain Source Resistance为270 m欧姆，Power Max为2.5W，Pd功耗为760 mW，零件别名为SI2337DS-E3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围是-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为500pF@40V，Id连续漏极电流为1.2 A，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为15 ns，漏极-源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为2.2A（Tc），并且配置为单一，信道模式为增强。
Si2337DS，带有VISHAY制造的电路图。Si2337DS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
