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PSMN041-80YLX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-4提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及三重共源配置，该设备也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为64W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10.5 ns，上升时间为11.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为25 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds漏极-源极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16.1ns，典型接通延迟时间为8.6ns，Qg栅极电荷为21.9nC，沟道模式为增强。
PSMN045-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于45 mOhm@5A、10V，提供功率最大功能，如56W，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供675pF@40V输入电容Cis-Vds，器件具有12.5nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为24A（Tc）。
PSMN045-80YS，带有NXP制造的电路图。PSMN045-80YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
PSMN057-200B，带有PHILIPS制造的EDA/CAD模型。PSMN057-200B采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
