9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4488DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4488DY-T1-GE3参考价格2.36000美元。Vishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO。您可以下载SI4488DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4488DY-T1-E3是MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4488DY E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.56 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为7纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-电源电阻为50mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
SI4487DY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供TrenchFET等商标特性，技术设计用于Si，以及8-SO供应商设备包，该器件也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为20.5 mOhm@10A，10V，该设备提供5W Power Max，该设备具有Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1075pF@15V，栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为11.6A（Tc）。
SI4488DY是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8引脚SOIC N。SI4488DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持Trans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8引脚SOIC N。
