一般说明
该N沟道2.5V指定MOSFET使用Fairchild Semiconductors先进的PowerTrench工艺生产，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷
优越的开关性能。
特征
•3 A，20 V。Rds（开）=0.035Ω @ 电压4.5 V
Rds（开）=0.050Ω @ Vgs=2.5 V。
•低栅极电荷（典型值为7nC）。
•适用于极低Rd（开启）的高性能沟槽技术。
•高功率和电流处理能力。
一般说明
该N沟道2.5V指定MOSFET使用Fairchild Semiconductors先进的PowerTrench工艺生产，该工艺经过特别定制，以最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷
优越的开关性能。
特征
•3 A，20 V。Rds（开）=0.035Ω @ 电压4.5 V
Rds（开）=0.050Ω @ Vgs=2.5 V。
•低栅极电荷（典型值为7nC）。
•适用于极低Rd（开启）的高性能沟槽技术。
•高功率和电流处理能力。
特色
- 3安培，20伏
- RDS（开）=0.035Ω@VGS=4.5 V
- RDS（ON）=0.050Ω@VGS=2.5 V。
- 低栅极电荷（典型值为7nC）。
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术。
- 高功率和电流处理能力。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC/DC转换器
- 负载开关
