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SISS52DN-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.1A (Ta), 162A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.03961 8.03961
10+ 7.19220 71.92200
100+ 5.60745 560.74530
500+ 4.63212 2316.06200
1000+ 3.65694 3656.94000
3000+ 3.65694 10970.82000
  • 库存: 2990
  • 单价: ¥8.03962
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.04
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2毫欧姆@20A,10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +16V、-12V
  • 供应商设备包装 PowerPAK1212-8 sh
  • 包装/外壳 PowerPAK1212-8 sh
  • 最大功耗 4.8W (Ta), 57W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 47.1A (Ta), 162A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2950 pF@15 V

SISS52DN-T1-GE3 产品详情

SISS52DN-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SISS52DN-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SISS52DN-T1-GE3价格参考¥8.039619,你可以下载 SISS52DN-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SISS52DN-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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