9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9540STRLPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9540STRLPBF价格参考3.09000美元。Vishay Siliconix IRF9540STRLPBF封装/规格:MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK。您可以下载IRF9540STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9540PBF是MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB,包括管封装,它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供150 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为57 ns,上升时间为73 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为19 A,Vds漏极-源极击穿电压为-100V,Rds漏极源极电阻为200mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为34ns,典型接通延迟时间为16ns,沟道模式为增强。
IRF9540SPBF是MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如16 ns,典型的关闭延迟时间设计为34 ns,以及1 P沟道晶体管类型,该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为73 ns,器件的漏极-源极电阻为200 mOhms,Pd功耗为150 W,封装为管,封装外壳为TO-252-3,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+175℃,Id连续漏电流为19 A,下降时间为57 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRF9540S是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK。IRF9540S有TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH100V 19B D2PAK、P沟道100V 19C(Ta)3.7W(Ta)、150W(Tc)表面安装D2PAK,Trans-MOSFET P-CH 100 V 19A 3-Pin(2+接线片)D2PAK。