BSN20BKR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 265毫安(Ta) 最大功耗: 310mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 0.30202 | 0.30202 |
100+ | 0.27450 | 27.45060 |
1000+ | 0.23829 | 238.29100 |
- 库存: 18067
- 单价: ¥0.30203
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.30
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 供应商设备包装 TO-236AB
- 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 2.8欧姆@200毫安,10V
- 最大功耗 310mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 265毫安(Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.49 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 20.2 pF @ 30 V
- 色彩/颜色 银
BSN20BKR 产品详情
NXP BSN20 60V N沟道沟道MOSFET是逻辑电平兼容的快速开关MOSFET。NXP BSN20适用于具有逻辑电平栅极驱动源的高频应用。设计用于计算、通信、消费者和工业应用。
BSN20BKR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSN20BKR 由 安世 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSN20BKR价格参考¥0.302029,你可以下载 BSN20BKR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSN20BKR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世 (Nexperia)
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的...