9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ1421EDH-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ1421EDH-T1_GE3参考价格为0.56000美元。Vishay Siliconix SQ1421EDH-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6。您可以下载SQ1421EDH-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ1420EEH-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于SQ1420EEH-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可以用作SC-70-6封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为3.3 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极导通电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8nS，Qg栅极电荷为2.7nC。
SQ12-12S500-V21，带有亚洲制造的用户指南。SQ12-12S500-V21在模块包中提供，是模块的一部分。
SQ124C-L带有由SQ制造的电路图。SQ124C-R采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
SQ12-5S1000，带有TDK制造的EDA/CAD模型。SQ12-5S1000在模块包中提供，是模块的一部分。
