9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7613DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7613DN-T1-GE3参考价格为1.13000美元。Vishay Siliconix SI7613DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8。您可以下载SI7613DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7611DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7611DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7611DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8以及Si技术中工作，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为39W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1980pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@9.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@10V，Pd功耗为3.7W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-50℃，下降时间为12 ns 9 ns，上升时间为150 ns 11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds漏极源极电阻为25 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28 ns 30 ns，并且典型的开启延迟时间是47ns 10ns，并且信道模式是增强。
Si7611DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。Si7611DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SI7613DN-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7613DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
