9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ2303ES-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ2303ES-T1_GE3参考价格为0.56000美元。Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236。您可以下载SQ2303ES-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SQ2303ES-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQ2303ES-T1_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有600mW的Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-2.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为370 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为12 ns，典型接通延迟时间为5 ns，Qg栅极电荷为4.5 nC，正向跨导最小值为4 S，沟道模式为增强。
SQ2301ES-T1_GE3，带有用户指南，包括-450 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为15 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有SQ系列系列，上升时间为14ns，漏极源极电阻Rds为180mOhms，Qg栅极电荷为8nC，Pd功耗为3W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-23-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为-3.9 A，正向跨导最小值为7 S，下降时间为9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SQ2301ES-T1-GE3是MOSFET P沟道20V汽车MOSFET，包括增强沟道模式，它们设计用于单配置操作，下降时间显示在数据表注释中，用于9ns，提供正向跨导最小特性，如7S，Id连续漏极电流设计用于-3.9 a，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有SOT-23-3封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为3 W，Qg栅极电荷为8 nC，Rds漏极-源极电阻为180 mOhms，上升时间为14 ns，该系列为SQ系列，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.050717oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅源极电压为8V，Vgsth栅源极阈值电压为-450mV。
