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CSD19536KCS是MOSFET N-CH 100V TO-220，包括NexFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于NexFET，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-220-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为375W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为12000pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为150A（Ta），最大Id Vgs的Rds为2.7mOhm@100A，10V，Vgs的最大Id为3.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为153nC@10V，Pd功耗为375W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为259A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.5V，Rds漏极源极导通电阻为2.5mm欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为118nC，正向跨导最小值为307S。
CSD19535KTTT是MOSFET 100V N沟道NexFET功率MOSFET，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.068654 oz，典型开启延迟时间设计为9 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD19535KTT，上升时间为18ns，漏极-源极电阻Rds为4.1mOhm，Qg栅极电荷为75nC，Pd功耗为300W，封装为卷轴，封装盒为TO-263-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为200 A，正向跨导最小值为301 S，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19535KTT是MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD19535KTT，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道以及1个N通道晶体管类型中工作。
