9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3443CDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3443CDV-T1-GE3参考价格为0.56000美元。Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP。您可以下载SI3443CDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3443CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3443CDV-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为59 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强型。
SI3443BVD，带有VISHAY制造的用户指南。SI3443BVD在SOT23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI3443CDV，带有VISHAY制造的电路图。SI3443CDV在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
