9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7137DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7137DP-T1-GE3参考价格$2.41000。Vishay Siliconix SI7137DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8。您可以下载SI7137DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7136DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8,包括SI71xxDx系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于SI7136DP GE3的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SO-8封装盒,该设备也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为29.5 a,Vds漏极-源极击穿电压为20V,Rds漏极源极电阻为3.2mOhms,晶体管极性为N沟道。
SI7137DP,带有VISHAY制造的用户指南。SI7137DP在DFN56封装中提供,是FET的一部分-单个。
Si7137DP-T1-E3,带有VISHAY制造的电路图。Si7137DP-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。