9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3457CDV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3457CDV-T1-GE3参考价格为0.56000美元。Vishay Siliconix SI3457CDV-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP。您可以下载SI3457CDV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3457CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于SI3457DDV-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为80 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为74 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20 ns，典型接通延迟时间为40 ns，沟道模式为增强型。
SI3457BDV-TI-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI3457BDV-TI-E3采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
SI3457BDY-T1，带有KEXIN制造的电路图。SI3457BDY-T1采用SOT163封装，是IC芯片的一部分。
